Положение переключателя II включает декаду в цепь ООС. В этом случае включение транзисторов VT2 — VT5 реализует схему с коэффициентом усиления ОУ, равным 1, 2, 3 и т. д. Максимальный коэффициент усиления равен 32. Амплитуда входного сигнала не должна превышать 5 В. Вместо транзисторов VT1-VT5 может быть использована интегральная микросхема К198НТ1.
Управление с помощью полевых транзисторов коэффициентом усиления.
С помощью полевых транзисторов, включенных в схему моста, можно в широких пределах управлять коэффициентом передачи ОУ (рис. 4.28). Несмотря на то, что сопротивление сток — исток полевого транзистора нелинейно меняется от напряжения в затворе, в данной схеме линейность сохраняется, в широких пределах. Это достигается благодаря изменению в небольших пределах напряжения между истоком и стоком при большом диапазоне изменения сигнала. Коэффициент усиления схемы определяется по формуле Ky.u= R4Uynp/R2UЗИотс, где Uynp — управляющее напряжение на затворе; UЗИотс — напряжение отсечки полевого транзистора. Усилитель с диодной регулировкой коэффициента усиления.
Регулировка коэффициента усиления в схеме (рис. 4.29) осуществляется за счет изменения сопротивления кремниевого диода в зависимости от протекающего через него постоянного тока. Возможны два варианта включения диода: параллельно эмиттерному сопротивлению и параллельно коллекторному сопротивлению. В первом случае с увеличением протекающего тока через диод или при увеличении напряжения на диоде коэффициент усиления возрастает. Это связано с тем, что общее сопротивление в эмиттере транзистора для переменного тока уменьшается. Во втором случае сопротивление диода, подключенного параллельно резистору R3, уменьшает коэффициент усиления с увеличением тока, протекающего через него. Схема эффективно работает при входном сигнале не более 10 мВ. Управляющее напряжение меняется от 0 до 12 В. Это напряжение можно снизить, если уменьшить сопротивление резистора R5.
Малошумящий усилитель на интегральных микросхемах.
Усилитель состоит из двух микросхем (рис. 4.30). Полевой транзистор микросхемы DA1 обеспечивает входное сопротивление усилителя 20 МОм и емкость 2 пФ. Коэффициент усиления, равный 100, обеспечивается интегральной микросхемой DA2, в которой применена глубокая ООС. При замкнутом входе собственный шум усилителя в полосе частот от 20 Гц до 20 кГц не превышает 10 мкВ. Неравномерность амплитудно-частотной характеристики в той же полосе не более 1,5 %. На сопротивлении нагрузки 3 кОм схема создает выходной сигнал с амплитудой до
Предварительный усилитель на полевом транзисторе.
Усилитель для емкостных датчиков (рис. 4.31) потребляет ток 10 мкА от источника питания 3 В. В этой схеме полевой транзистор работает с коэффициентом передачи, равным приблизительно 5, а транзисторы VT2 и VT3 входят в составной повторитель. Напряжение отсечки полевого транзистора должно быть меньше 1 В. Входное сопротивление каскада равно 1 МОм, а выходное сопротивление приблизительно 5 кОм. Напряжение шумов, приведенное ко входу менее 50 мкВ в полосе частот от 20 Гц до 20 кГц.
Составной каскад на полевом и биполярном транзисторах.
Каскад (рис. 4.32) имеет коэффициент усиления, близкий к единице, большое входное и малое выходное сопротивления, приблизительно 200 Ом. На выходе повторителя (рис. 4.32,а) присутствует постоянное напряжение, определяемое потенциалом отсечки полевого транзистора. В схеме рис. 4.32,б постоянная составляющая на выходе отсутствует. Она скомпенсирована подачей через резистор R3 подпитывающего напряжения от второго источника питания. Поскольку напряжение отсечки полевых транзисторов имеет разброс, то для каждого конкретного транзистора VT1 необходимо регулировать резистор R3.
Усилитель с динамической нагрузкой.
Для увеличения коэффициента усиления на транзисторе VT2 (рис. 4.33,) в качестве динамической нагрузки включены VT1 и R3. Эквивалентное сопротивление нагрузки будет определяться выражением