Роль вузов и университетов в начальный период зарождения микроэлектроники в СССР трудно переоценить, так как в них, по существу, готовились инженерные и научные кадры для микроэлектроники — научно-техническая интеллигенция новой отрасли, ее интеллектуальный потенциал.
Особую роль в начальный период зарождения микроэлектроники в СССР имели исследования и разработки, проводимые в Ленинграде под руководством Ф. Е Староса и И. В. Берга в возглавляемом им КБ-2. Оба они — эмигранты из США. История их появления в СССР описана в романе Д. Еранина «Бегство в Россию».
Хорошей базой для нарождающейся микроэлектроники были отраслевые полупроводниковые НИИ: НИИ-35 (Пульсар) и НИИ-311 (Сапфир), а также Томилинский электровакуумный завод (ТЭЗ), изготавливающий полупроводниковые диоды.
Но эти предприятия скорее были исключением, чем правилом в решении проблемы микроэлектроники. Колосов с одним из руководителей КБ-1 (это был заместитель главного инженера И. И. Аухтун) объездили основные московские институты подобного профиля. Колосов на встречах делал доклад «Что такое микроэлектроника и почему вашим НИИ надо ею заниматься?» Но отношение к новой работе было в основном негативным.
Видя, что личными уговорами ничего не добьешься, Расплетин и Колосов решили обратиться к заместителю министра электронной промышленности К. И. Мартюшову с предложением организовать в Ленинграде Первую Всесоюзную конференцию по микроэлектронике. Предполагалось собрать на конференцию всех руководителей зарождавшейся новой электронной промышленности страны. Колосов сделал вводный доклад, Ф. Старое — доклад о системах памяти, вел конференцию Мартюшов. Затем руководителей предприятия пригласили к А. И. Шокину, где обсудили необходимость создания единого центра по микроэлектронике. Разработанные предложения о создании центра были доложены А. И Шокиным В. М. Рябикову и Д. Ф. Устинову и представлены высшему руководству страны.
8 августа 1962 года вышло постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании в Зеленограде Научного цента микроэлектроники, а в октябре 1962 года А. И. Шокин провел первое большое отраслевое совещание конструкторов — разработчиков полупроводниковых приборов, на котором выступил с докладом.
С этих работ начался новый этап творческих контактов и совместных исследований разработчиков РЭА и создателей новых изделий молекулярной электроники.
А. А. Расплетин активно поддерживал создание научного центра микроэлектроники в Зеленограде. Одним из первых научно-исследовательских институтов научного центра был НИИмикроприборов, где А. А. Расплетин стал членом диссертационного совета.
Как вспоминал первый директор НИИМП И. Н. Букреев:
А. А. Расплетин был одним из самых активных членов диссертационного совета. На заседания совета он приезжал заранее и занимался изучением диссертационной работы, а бывая у руководства НЦ, вникал во все тонкости и трудности создания электронного центра.
К 1964 году конфликт между возрастающими тактико-техническими требованиями к радиоэлектронным системам различного назначения и ее комплектующим изделиям стал особенно заметен.
Справедливости ради, следует отметить, что в таком уважаемом среди специалистов энциклопедическом словаре «Электроника» в статье «Микромодули» было написано:
Микромодули не получили распространения из-за низкой технологичности и сравнительно невысокой надежности и в конце 1960-х гг. были вытеснены интегральными схемами. Даже планарные транзисторы не решали проблем. Но они дали мощный толчок к появлению нового технологического направления — формированию множества планарных элементов на одном, небольшом по размеру полупроводниковом кремниевом кристалле. Появились первые твердотельные интегральные полупроводниковые схемы (ИПС) — логические специальные схемы общего применения «Изумруд ТТЛ», «Логика-2», «Индекс» и специальные схемы: «Инструмент МУ, УИ, ЭК», «Исполин-2», «Ишим» и «Микроватт».