Эксперименты и расчеты показывают, что составляющая верхнего легированного слоя кремния в суммарном коэффициенте собирания Q при переходе к малой глубине залегания p-n-перехода и увеличении скорости поверхностной рекомбинации начинает уменьшаться.
При создании солнечных элементов из арсенида галлия также наблюдается отмеченная тенденция. Гомогенный р-n-переход в этом материале создается обычно с помощью мелкой термодиффузии цинка — примеси p-типа — в исходный арсенид галлия n-типа. Однако существенно более высокое значение коэффициента поглощения в арсениде галлия (по сравнению с кремнием) и его резкая спектральная зависимость приводят к тому, что почти все фотоактивное излучение поглощается в верхнем легированном слое p-типа и собирается из него нижележащим p-n-переходом в арсениде галлия.
Были выполнены также расчеты для солнечных элементов из кремния и арсенида галлия при близкой толщине слоев и одинаковой скорости поверхностной рекомбинации. Результаты этих расчетов показывают, что составляющая базового слоя в суммарном коэффициенте собирания Q становится заметной лишь в длинноволновой области спектральной чувствительности солнечных элементов из арсенида галлия (рис. 2.17, кривая 4).
Рис. 2.17. Спектральная зависимость составляющих легированной (1, 2) и базовой (3, 4) областей в суммарном коэффициенте собирания для солнечных элементов 1,3 — кремний (n- на р-типа); 2,4 — арсенид галлия (р- на n-типа)
По спектральной чувствительности исследованных солнечных элементов были рассчитаны время жизни и диффузионная длина неосновных носителей в областях по обе стороны р-n-перехода. Выяснилось, что дополнительная причина столь незначительного влияния базовой области на суммарный коэффициент собирания в элементах из арсенида галлия — чрезвычайно малая диффузионная длина неосновных носителей в этом материале, не превышающая 1,5 мкм.
При бесконечно большом времени жизни и диффузионной длине неосновных носителей в обоих слоях солнечного элемента и при нулевой скорости поверхностной рекомбинации (а также при R=0) коэффициент собирания Q будет равен единице во всей области фоточувствительности данного полупроводникового материала, а на кривой спектральной чувствительности появится резкий максимум при энергии квантов ⅛v, равной ширине запрещенной зоны Eg полупроводника, из которого изготовлен солнечный элемент, после чего спектральная чувствительность начнет линейно убывать с увеличением частоты (т. е. уменьшением длины волны) падающего оптического излучения.
При отсутствии поверхностной и объемной рекомбинации все носители, созданные в полупроводнике излучением длиной волны λ, должны собираться и разделяться p-n-переходом:
Iκ3(λ) =qN0(λ) =qE (λ) ∕ hv.
Отсюда видно, что спектральная чувствительность линейно зависит от длины волны:
Iκ3(λ)E/(λ)=q/hv=0,8×103λ.
Длинноволновой край спектральной чувствительности солнечных элементов ограничен лишь энергетическим положением края основной полосы поглощения (или, как его ранее часто называли, красной границей фотоэффекта), которое определяется шириной запрещенной зоны полупроводника и характером оптических переходов зона — зона. Левый край чувствительности для планарного солнечного элемента зависит в основном от скорости поверхностной рекомбинации на обращенной к свету поверхности элемента.
Ниже представлены предельные значения спектральной чувствительности полупроводникового солнечного элемента планарной конструкции, рассчитанные при указанных ранее идеализированных условиях (нулевая скорость поверхностной рекомбинации, бесконечно большие время жизни и диффузионная длина неосновных носителей заряда и нулевое значение коэффициента отражения):
Анализ результатов расчетного и экспериментального определений спектральной чувствительности позволяет сделать несколько выводов о выборе основных направлений совершенствования технологии солнечных элементов.
Улучшение спектральной чувствительности в длинноволновой области может быть достигнуто за счет увеличения времени жизни неосновных носителей в базовом слое, например, путем перехода к более чистому и высокоомному исходному полупроводниковому материалу и сохранения его свойств в процессе изготовления солнечных элементов.
На основе кремния могут быть изготовлены солнечные элементы с очень высокой чувствительностью в коротковолновой и ультрафиолетовой областях спектра вплоть до 0,2 мкм. C этой целью необходимо резко уменьшить скорость поверхностной рекомбинации и глубину залегания p-n-перехода.
Таким образом, изучение спектральной чувствительности и коэффициента собирания солнечных элементов исключительно полезно для дальнейшего улучшения свойств солнечных элементов, увеличения их КПД и, следовательно, расширения сферы их применения.
Глава 3
КОЭФФИЦИЕНТ ПОЛЕЗНОГО ДЕЙСТВИЯ
СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Методика измерения КПД
Для определения КПД солнечных элементов и батарей необходимо (так же как в случае любых других преобразователей излучения) измерить количество энергии излучения, поступающей на солнечный элемент, и количество электроэнергии, выработанной им. Проблема, однако, осложняется несколькими обстоятельствами: энергия поступает к элементу в форме солнечного излучения, спектральный состав и мощность которого продолжают уточняться даже для внеатмосферных условий, а характеристики наземного солнечного излучения чрезвычайно сильно зависят от состояния атмосферы и часто изменяются в течение весьма непродолжительных периодов времени;
создание имитаторов Солнца, копирующих по всем основным параметрам внеатмосферное или выбранное в качестве стандарта наземное солнечное излучение, представляет собой пока не решенную полностью научно-техническую задачу;
при разработке стабильных эталонных солнечных элементов для настройки имитаторов Солнца следует учитывать особенности оптических и электрофизических свойств каждого типа элементов, в частности их спектральной чувствительности;
при измерении выходных электрических параметров элементов и батарей необходимо иметь в виду сильное влияние последовательного сопротивления элементов и сопротивления измерительных приборов на получаемые значения.
Таким образом, определение КПД солнечных элементов и батарей представляет собой сложную комплексную проблему, и это выделило метрологию полупроводниковых преобразователей солнечного излучения в самостоятельной раздел исследований по фотоэлектричеству.
Основной параметр солнечных элементов и батареи — световая нагрузочная вольт-амперная характеристика — позволяет определить генерируемую электрическую мощность по произведению IoptUoht, оценить полноту использования потенциала запрещенной зоны по напряжению холостого хода; получить представление об уровне оптических и фотоэлектрических потерь по току короткого замыкания и коэффициенту заполнения вольт-амперной характеристики; рассчитать КПД преобразования солнечной энергии в электрическую по отношению мощности, генерируемой элементами и батареями, к мощности падающего солнечного излучения, которую можно измерить с помощью отградуированного эталонного солнечного элемента. Градуировка эталонного элемента заключается в определении абсолютного значения тока его короткого замыкания, например путем пересчета измерений абсолютной спектральной чувствительности на стандартный внеатмосферный или наземный солнечный спектр.