Эти дополнительные частоты обеспечивает так называемый телеграфный гетеродин, схема которого приведена на рисунке.
Колебания с частотой около 465 кГц вырабатываются в контуре L2, СЗ…С5; выделяясь в катушке L3, они индуктивным путем достигают цепей промежуточной частоты обычного бытового радиоприемника и позволяют «тайное сделать явным». Подстроечный керамический конденсатор С4 служит для грубой настройки на промежуточную частоту, а полупеременный С5 позволяет точно настроиться на «верхнюю» или «нижнюю» вспомогательную частоту, необходимую для приема SSB.
Каркас для катушек L1, L2 — пластмассовая катушка от фотокассеты «Орво», применяемая в фотоаппаратах «Зенит». Катушка укорочена до 15 мм, ее щечки удерживают витки намотки от сползания; намотка производится внавал. У катушки 12 — 130 витков, у L1 — 10 витков провода ПЭЛШО 0,12. В имеющееся цилиндрическое отверстие каркаса необходимо вставить отрезок ферритового стержня марки 600НН (можно 400НН) той же длины, что у каркаса.
Если катушки намотаны в одну сторону, к резистору R1 присоединяют начало одной и конец другой катушки. Катушка L3 помещается на ферритовом стержне той же марки, что у двух первых, только его длина порядка 50…70 мм. Обмотка ее содержит 70 витков провода ПЭВ-2 0,3…0,4, уложенных в один слой, виток к витку на каркасе из бумаги. Резисторы мoгyт быть МЛТ-0.125…0.5, постоянные конденсаторы — типа КЛС, полупеременные — керамический КПК-2 (С4) и с воздушным диэлектриком серии КПВ. Указанный на схеме транзистор можно заменить на практически любой маломощный с рабочей частотой от 10 Мгц и выше.
В источнике питания может работать батарея небольшой емкости с напряжением 4,5…9 В. Если приставка будет использоваться только с одним приемником, можно заменить сравнительно дефицитный подстроечник КПВ на два керамических КПК-МП той же емкости, поочередно присоединяемых к контуру переключателем. Прием ведут, расположив телеграфный гетеродин на расстоянии 10…15 см от приемника. Желательно, чтобы последний имел обзорный или полурастянутые КВ-диапазоны.
Ю. ПРОКОПЦЕВ
ТВОИ УНИВЕРСИТЕТЫ
Рубрику ведет С. Бузлаков
Горячее для выпускников школ из самых разных регионов лето 2000 года показало: многие приезжали в Москву поступать в институты, располагая самыми минимальными о них сведениями. Много времени ушло только на то, чтобы найти нужный институт, определиться, какие экзамены туда сдавать, оценить свои шансы на поступление, нередко полагаясь на слухи.
Мы решит по мере возможности восполнить недостаток информации.
У вас в руках первые страницы своеобразного мини-справочника по московским техническим вузам, публикацию которого мы предполагаем завершить к следующим вступительным экзаменам. Поскольку многие сведения приходится уточнять, что называется, на ходу, институты мы расположит не по алфавиту, а в порядке поступления о них информации.
Все указанные телефоны — московские, код 095.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПО ЗЕМЛЕУСТРОЙСТВУ
Специальности: архитектура; земельный кадастр; городской кадастр; землеустройство; прикладная геодезия; экономика и управление на предприятии; юриспруденция.
Сроки обучения: бакалавр — 4 года, инженер — 5 лет, магистр — 6 лет, юрист — 5 лет, архитектор — 6 лет.
Сроки подачи документов: дневное отделение — с 25 июня по 15 июля, вечернее отделение — с 25 июня по 1 сентября, заочное отделение — с 1 ноября по 15 января.
Вступительные экзамены на технические специальности: математика письменно, математика устно, русский язык — диктант.
Средний проходной балл в 2000 г. — 12 (сумма баллов за три экзамена). Общежитие — 30 рублей в месяц. Военная кафедра. Возможно платное обучение.
Адрес:103064, Москва, ул. Казакова, 15. Тел.: приемная комиссия (ПК) — 261-59-79, подготовительное отделение (ПО) — 261-90-39, E-maiclass="underline" guzru@dol/ru.
MATИ — РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. К.Э.ЦИОЛКОВСКОГО
Специальности: авиационные двигатели и энергетические установки; авиационные приборы и измерительно-вычислительные комплексы; автоматизированные системы обработки информации и управления; безопасность жизнедеятельности; динамика и прочность машин; инженерная защита окружающей среды; испытание летательных аппаратов; конструирование и производство изделий из композиционных материалов; конструирование и технология электронных вычислительных средств; лазерная техника и лазерные технологии; литейное производство черных и цветных металлов; менеджмент; материаловедение и термическая обработка металлов; маркетинг; металлургия сварочного производства; обработка металлов давлением; прикладная математика; проектирование и технология радиоэлектронных средств; ракетные двигатели и ракетостроение; самолето- и вертолетостроение; физика.
Вступительные экзамены: математика, физика, русский язык.
Средний проходной балл в 2000 г. — 18,2 (сумма баллов за три экзамена + средний балл аттестата). Общежитие — 30 рублей в месяц. Военная подготовка — по желанию. Возможно платное обучение — от 1000 до 1600 у.е. в год.
Адрес:121552, Москва, ул. Оршанская, 3. Тел.: ПК — 915-31-78, ПО — 915-09-63.
МОСКОВСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АКАДЕМИЯ ЛЕГКОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ (МГАЛП)
Специальности: автоматизация технологических процессов и производств; дизайн; конструирование изделий из кожи; конструирование швейных изделий; машины и аппараты легкой промышленности; системы автоматизированного проектирования; технология изделий из кожи; технология кожи и меха; технология переработки пластических масс и эластомеров; технология швейных изделий; экономика и управление на предприятии.
Вступительные экзамены: на технические специальности — математика письменно, русский язык и литература (сочинение); на другие специальности — рисунок или химия (в зависимости от специальности) и тестирование по русскому языку и литературе.
Средний проходной балл в 2000 г. — 12–16 (10-балльная система).
Формы обучения — дневная, вечерняя и заочная. Выделяются дополнительные места для обучения на контрактной основе — от 800 до 1600 у.е. в год. Есть общежитие для иногородних, военная кафедра.
Адрес:113806, Москва, ул. Садовническая, 33. Тел.: ПК — 951-31-48, 951-40-45, 951-06-27.
МОСКОВСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АКАДЕМИЯ ТОНКОЙ ХИМИЧЕСКОЙ ТЕХНОЛОГИИ ИМЕНИ М.В.ЛОМОНОСОВА (МИТХТ)
Специальности: технология переработки пластических масс и эластомеров; биотехнология; инженерная защита окружающей среды; композиционные порошковые материалы, покрытия; материаловедение и технология новых материалов; материалы и компоненты твердотельной электроники; стандартизация и сертификация; физико-химические методы исследования процессов и материалов; химическая технология; экономика и управление на предприятии.
Сроки обучения: бакалавр — 4 года, инженер — 5,5 лет, магистр — 6 лет.