Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

Таблица 7.1. Сигналы микросхем динамической памяти

Сигнал	Назначение
RAS#	Row Access Strobe — строб выборки адреса строки. По спаду сигнала начинается любой цикл обращения; низкий уровень сохраняется на все время цикла. Перед началом следующего цикла сигнал должен находиться в неактивном состоянии (высокий уровень) не менее, чем время предварительного заряда RAS (TRP — RAS precharge time)
CAS#	Column Access Strobe — строб выборки адреса столбца. По спаду сигнала начинается цикл записи или чтения; минимальная длительность (TCAS) определяется спецификацией быстродействия памяти. Минимальная длительность неактивного состояния между циклами (высокий уровень) должна быть не менее, чем время предварительного заряда CAS (TCP — CAS precharge time)
MAi	Multiplexed Address — мультиплексированные линии адреса. Во время спада сигнала RAS# на этих линиях присутствует адрес строки, во время спада CAS# — адрес столбца. Адрес должен устанавливаться до спада соответствующего строба и удерживаться после него еще некоторое время. Микросхемы с объемом 4 М ячеек могут быть с симметричной организацией — 11 бит адреса строк и 11 бит адреса колонок или асимметричными — 12×10 бит соответственно
WE#	Write Enable — разрешение записи. Данные записываются в выбранную ячейку либо по спаду CAS# при низком уровне WE# (Early Write — ранняя запись, обычный вариант), либо по спаду WE# при низком уровне CAS# (Delayed Write — задержанная запись). Переход WE# в низкий уровень и обратно при высоком уровне CAS# записи не вызывает, а только переводит выходной буфер EDO DRAM в высокоимпедансное состояние
ОЕ#	Output Enable — разрешение открытия выходного буфера при операции чтения. Высокий уровень сигнала в любой момент переводит выходной буфер в высокоимпедансное состояние
DB-In	Data Bit Input — входные данные (только для микросхем с однобитной организацией)
DB-Out	Data Bit Output — выходные данные (только для микросхем с однобитной организацией). Выходные буферы стандартных микросхем открыты только при сочетании низкого уровня сигналов RAS#, CAS#, OE# и высокого уровня WE#; при невыполнении любого из этих условий буферы переходят в высокоимпедансное состояние. У микросхем EDO выходные буферы открыты и после подъема CAS#. Логика управления предусматривает возможность непосредственного объединения выходов нескольких микросхем
DQx	Data Bit — объединенные внутри микросхемы входные и выходные сигналы данных (объединение экономит количество выводов для микросхем с многобитной организацией)
N.C.	No Connection — свободный вывод

Выбранной микросхемой памяти является та, на которую во время активности (низкого уровня) сигнала RAS# приходит сигнал CAS# (тоже низким уровнем). Тип обращения определяется сигналами WE# и CAS#. Временная диаграмма «классических» циклов записи и чтения приведена на рис. 7.1. Как из нее видно, при чтении данные на выходе относительно начала цикла (сигнала RAS#) появятся не раньше, чем через интервал T_RAC, который и является временем доступа.

Рис. 7.1. Временные диаграммы чтения и записи динамической памяти

Микросхемы DRAM имеют множество временных параметров, из которых выделим несколько важнейших, с которыми иногда приходится сталкиваться при настройке параметров циклов в CMOS Setup.

♦ Время доступа T_RAC (RAS Access Time) — задержка появления действительных данных на выходе относительно спада импульса RAS (см. рисунок). Этот основной параметр спецификации памяти, измеряемый в единицах или десятках наносекунд, обычно является последним элементом обозначения микросхем и модулей (ххх-7 и ххх-70 означают время доступа 70 нс). Для современных микросхем характерно время доступа 40-100 нс.

♦ Время цикла (cycle time) — минимальный период между началами соседних циклов обращения (T_WC для записи и T_RC для чтения). Для современных микросхем лежит в пределах 75-125 нс.

♦ Время цикла (период следования импульсов CAS#) в страничном режиме T_PC (Page CAS Time — см. п. 7.1.1).

♦ Длительность сигналов RAS# и CAS# — T_RAS и T_CAS — минимальная длительность активной части (низкого уровня) стробирующих сигналов (см. рисунок).

♦ Время предварительного заряда RAS и CAS T_RP, и T_CP (RAS и CAS Precharge Time) — минимальное время нахождения соответствующих сигналов в высоком состоянии.

♦ Время задержки между импульсами RAS# и CAS# T_RCD (RAS to CAS Delay).

♦ Задержка данных относительно импульса CAS# (T_CAC).

Все эти параметры и определяют предел производительности памяти. В табл. 7.2 приведены типовые значения временных параметров, отвечающих конкретной спецификации быстродействия. На них можно ориентироваться при задании циклов обращений к памяти в CMOS Setup, но при этом необходимо учитывать, что микросхемы различных производителей могут несколько отличаться друг от друга по отдельным параметрам.

Таблица 7.2. Ключевые параметры временной диаграммы DRAM

Спецификация быстродействия	TRC, нс	TRAC, нс	TPC, нс	TCAS, нс	TCP, нс
-4	75	40	15	6	6
-5	100	50	20	8	8
-6	104	60	25	10	10
-7	110	70	30	12	12