8.2. Асимметрия процессов поглощения и излучения энергии
8.3. Энтропия
8.3.1. Энтропия всегда растет
8.3.2. Свободная энергия всегда уменьшается
8.4. Универсальный закон равновесия Больцмана
8.5. Состояния в пространстве Фока
8.5.1. Фермионы
8.5.2. Бозоны
8.5.3. Взаимодействующие электроны
8.6. Альтернативное выражение для энтропии
8.6.1. Равновесное распределение из минимума свободной энергии
8.7. Глобальная ценность информации
8.8. Информационно-управляемый аккумулятор
8.8.1. Важно знать детальную информацию
8.9. Принцип Ландауэра о минимуме энергии, необходимом для стирания одного бита информации
8.10. Демон Максвелла
Литература
II. Квантовый транспорт, спинтроника, магнетроника, молекулярная электроника и смежные вопросы
Глава 9. Спинтроника и магнетроника
9.1. Введение
9.2. Граничное сопротивление и несовпадение мод проводимости
9.3. Спиновые потенциалы
9.3.1. Разность нелокальных спин-потенциалов
9.4. Спиновый момент
9.5. Уравнение Ландау - Лифшица - Гильберта
9.5.1. Выделенная ось магнита
9.6. Обращение намагниченности спиновым током
9.7. Поляризаторы и анализаторы спинового тока
Литература
Глава 10. Метод неравновесных функций Грина
10.1. Квантовый транспорт
10.2. Уравнения метода НРФГ в матричном представлении
10.3. Одноуровневый резистор: полуклассический подход
10.4. Одноуровневый резистор: квантовый подход
10.5. Квантовое уширение
10.6. Интерференция источников поступления электронов в резистор
10.7. Квантовый транспорт по многоуровневому проводнику
10.8. Функция проводимости для когерентного транспорта
10.9. Модельные транспортные задачи
10.9.1. Моделирование 1D проводника
10.9.1.1. Баллистический 1D проводник
10.9.1.2. Плотность состояний 1D проводника
10.9.1.3. 1D проводник с одним рассеивающим центром
10.9.2. Моделирование однородного 2D проводника
10.9.2.1. Контактные собственные энергии для 2D проводника
10.9.3. Графен как пример неоднородного 2D проводника
10.9.4. Общий подход к построению контактных матриц
10.9.5. Баллистическая проводимость графена
10.10. Дефазировка
10.10.1. Упругая дефазировка
10.10.2. 1D проводник с двумя и более рассеивающими центрами
10.10.3. Скачок потенциала на дефектах
Литература