Анализ генетического разнообразия сообщества V. planifolia в Индии имеет смысл, поскольку может помочь подтвердить существование генетической изменчивости в гермоплазме, если таковая имеется, и помочь в программе разведения.
Межвидовая гибридизация
Вариации, которые существуют среди культивируемых видов ванили или даже в некоторых близких видах, могут быть объединены для получения новых типов путем гибридизации. Вторичный генопул может содержать полезные гены самоопыления, устойчивости к корневой гнили и вирусам, крупных плодов, снижения светочувствительности, лучшего профиля аромата и нерастрескивающихся стручков для включения в культивируемую ваниль. Из-за несовместимости между некоторыми видами ванили селекционеры могут попытаться вырастить потомство от межвидовых скрещиваний через культуру семян in vitro. О межвидовых гибридах между V. planifolia × V. aphylla (Minoo et al., 2006b, 2008a) и V. planifolia × V. wightiana (Rao et al., 1992b) сообщается из Индии.
Аспекты ксении/метаксении также могут быть рассмотрены, среди прочего, поскольку было замечено, что пыльца некоторых видов ванили положительно влияет на размер стручка V. planifolia (B. Sasikumar, личное наблюдение).
Агрономия
Климат и почва
Ваниль является лазящей орхидеей, поэтому для промышленного производства ванильных стручков должны быть созданы благоприятные условия ее вегетативного роста и цветения. Растению требуются теплые и влажные условия влажных тропиков для нормального роста и устойчивой продуктивности. Оно хорошо растет между 10° северной и 20° южной широты, при хорошо распределенных в среднем осадках между 150 см и 300 см. Растение переносит широкий диапазон температур, но в идеале средняя минимальная температура в зимние месяцы не должна опускаться ниже 12°C и не должна превышать 35°C летом, а оптимальный диапазон температур составляет 25–32°C со средней относительной влажностью 80%. Растение не переносит длительной засухи или заболачивания, воздействия жаркого солнца или сильного ветра.
Согласно Потти и Кришнакумару (Potty and Krishnakumar, 2003), ваниль может успешно выращиваться в районах ближе к экватору, где теплый и влажный климат преобладает в течение всего года, и до высоты до высоты 1100 м.
Ваниль предпочитает земли с пологим уклоном и легкую пористую почву с достаточным дренажем. Предпочтительны почвы с высоким содержанием гумуса, хотя растения могут хорошо расти на супесях и даже на латеритных почвах. Богатые гумусом почвы Западных Гатов и северо-восточных штатов Индии очень подходят для её возделывания. Ваниль успешно выращивают в качестве дополнительной культуры в кокосовых и арековых садах (Sasikumar et al., 1993).
Размножение
Ваниль поддается как половому, так и бесполому способам размножения. Стеблевые черенки способны выпускать корни в узлах, когда те контактируют с почвой или любой другой средой укоренения. Вегетативное размножение с помощью стеблевых черенков, в целом, является общепринятым методом, поскольку его легко и быстро внедрить. Однако, поскольку ваниль является моноподиальной орхидеей, сбор значительного количества стеблевых черенков с основных плантаций может привести к остановке вегетативного роста материнских растений (Ayyappan, 1990) и будет происходить за счет урожая последующих лет. Поэтому в условиях коммерческого земледелия прибегают к производству посадочного материала в питомниках. В районах, где свирепствуют вирусные заболевания, для возрождения плантаций рекомендуется использовать, свободные от вирусов, сертифицированные материалы микроразмножения.
Первичный источник черенков для питомников может быть получен со свободных от болезней, здоровых и сильнорослых материнских растений на урожайных плантациях. Длина лианы, используемой для посадки, варьируется от места к месту, но имеет огромное влияние на дальнейший рост и время, необходимое для достижения зрелости. В ситуациях, когда маточных лиан мало, используются черенки с тремя-четырьмя узлами. Рекомендуется использовать такие черенки в питомниках для выращивания более длинных лиан, а не непосредственно на участках, потому что более короткие черенки требуют больше времени для приживаемости и получения урожая.
Размножение в траншее
Была описана простая и быстрая процедура размножения для производства посадочного материала (Kuruvilla et al., 2003). Место для питомника быстрого размножения должно быть идеально расположено с точки зрения доступности, наличия источника воды, пологого склона и глубоких плодородных почв суглинистого характера с оптимальной естественной тенью. Там, где оптимальное затенение недоступно, необходимо обеспечить адекватное затенение, используя агро-сетку для затенения, обеспечивающую интенсивность света 50%. Траншеи шириной 60 см и глубиной 60 см отрываются на удобную длину, оставляя между ними 40 см. Траншеи засыпаны верхним слоем почвы, хорошо разложившимся навозом и песком в соотношении 3:1:1. Опекуны длиной 2–2,5 м для поддержки лиан высаживают на расстоянии 1 м вдоль траншей не менее чем за два месяца до посадки ванили. Предпочтительны быстрорастущие деревья с низкой ветвистостью, мелкими листьями и грубой корой. В Индии широко используются Plumeria alba, Erythrina lithosperma, Glyricidia maculata и другие. Для посадки в питомник быстрого размножения следует использовать однометровые черенки ванили не менее чем с 10 узлами. Три или четыре прикорневых листа лианы срезают, сохраняя одну треть листовых пластинок, и погружают в 1%-ную бордосскую смесь на 15 минут, а затем выдерживают в тени около одной недели для частичной потери влаги.