Глава 37. Большой союз Морриса Чанга
Джерри Сандерс, возможно, и обещал никогда не отказываться от своих заводов, но поколение инженеров, которые в детстве проектировали микросхемы с помощью перочинных ножей и пинцетов, уходило со сцены. Пришедшие им на смену инженеры обучались новой дисциплине - информатике, и многие из них знали полупроводники в основном по новым программам проектирования микросхем, появившимся в 1980-х и 1990-х годах. Для многих в Кремниевой долине романтическая привязанность Сандерса к заводам казалась столь же несовременной, как и его мачистская развязность. Новый класс руководителей, возглавивших американские полупроводниковые компании в 2000-2010-х годах, как правило, говорил на языке не только докторов, но и магистров, непринужденно беседуя о капитальных вложениях и марже с аналитиками Уолл-стрит во время ежеквартальных звонков по поводу прибыли. По большинству показателей это новое поколение руководителей было гораздо более профессиональным, чем химики и физики, построившие Кремниевую долину. Но по сравнению с предшествующими гигантами они часто выглядели устаревшими.
Эпоха диких ставок на невозможные технологии сменялась чем-то более организованным, профессиональным и рациональным. На смену азартным ставкам приходило расчетливое управление рисками. При этом трудно было отделаться от ощущения, что в этом процессе что-то потеряно. Из основателей чип-индустрии остался только Моррис Чанг, который курил трубку в своем офисе на Тайване - привычка, которую он отстаивал как полезную для здоровья, или, по крайней мере, для настроения. В 2000-х годах даже Чанг начал задумываться о преемственности. В 2005 году, в возрасте 74 лет, он оставил пост генерального директора, хотя и остался председателем совета директоров TSMC. Вскоре уже не осталось никого, кто помнил бы, как работал в лаборатории вместе с Джеком Килби или пил пиво с Бобом Нойсом.
Смена руководства в индустрии микросхем ускорила процесс разделения проектирования и производства микросхем, причем большая часть последнего была выведена на периферию. Через пять лет после ухода Сандерса из AMD, на сайте , компания объявила о разделении бизнеса по разработке и производству микросхем. Уолл-стрит ликовала, считая, что новая AMD будет более прибыльной без капиталоемких заводов. AMD выделила эти предприятия в новую компанию, которая будет работать как литейный завод, подобно TSMC, производя чипы не только для AMD, но и для других заказчиков. Инвестиционное подразделение правительства Абу-Даби, компания Mubadala, стала основным инвестором нового литейного завода - неожиданная позиция для страны, известной больше углеводородами, чем высокими технологиями. CFIUS, американский государственный орган, рассматривающий вопросы приобретения иностранцами стратегических активов, разрешил продажу, посчитав, что она не имеет последствий для национальной безопасности. Однако судьба производственных мощностей AMD в конечном итоге определит развитие индустрии микросхем и станет гарантией того, что самые передовые технологии будут производиться за рубежом.
GlobalFoundries, так называлась новая компания, унаследовавшая заводы AMD, вошла в отрасль, которая была столь же конкурентной и неумолимой, как и раньше. В 2000-х и начале 2010-х годов закон Мура шел вперед, заставляя передовых производителей микросхем тратить все большие средства на внедрение нового, более совершенного производственного процесса примерно раз в два года. Чипы для смартфонов, ПК и серверов быстро переходили на каждый новый "узел", используя преимущества увеличения вычислительной мощности и снижения энергопотребления за счет более плотной упаковки транзисторов. Каждый переход на новый узел требовал все более дорогостоящего оборудования для производства.
В течение многих лет каждое поколение технологии производства называлось по длине затвора транзистора - той части кремниевого чипа, проводимость которой включалась и выключалась, создавая и прерывая цепь. В 1999 году был создан 180-нм узел, за которым последовали 130-нм, 90-нм, 65-нм и 45-нм, причем в каждом поколении транзисторы уменьшались настолько, что на той же площади их можно было разместить примерно вдвое больше. Это позволило снизить энергопотребление в расчете на один транзистор, поскольку транзисторам меньшего размера требуется меньшее количество электронов для прохождения через них.